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BSC060N10NS3 G /MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G的规格信息
BSC060N10NS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:68 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:43 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:BSC060N10NS3GATMA1 BSC6N1NS3GXT SP000446584

单位重量:100 mg

供应商BSC060N10NS3 G
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSC060N10NS3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSC060N10NS3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司BSC060N10NS3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳诚思涵科技有限公司BSC060N10NS3 G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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10000+:¥7.22
25000+:¥7.1
50000+:¥6.941+:¥15.94
10+:¥14.4
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5,000:¥10.4525
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